杰平方半导体推出1200V 10/12/16mΩ 第三代碳化硅MOSFET
继成功量产1200V碳化硅系列产品并赢得市场好评之后， 杰平方半导体日前正式推出了第三代（Gen 3）SiC MOSFET系列的最新产品：JPM120010B4AI、JPM120012B4AI和JPM120016B4AI。凭借其卓越的性能和独特优势，这三款新产品将为行业提供更多高品质的选择。
01产品概要
- 先进的第三代平面SiC MOSFET
- 高阻断电压与低导通电阻：1200V 10、12和16mohm
- 高速开关与低电容
- 易于并联，易于驱动
- 100%雪崩测试
- 更高的系统效率
- 降低冷却要求
- 增加功率密度
- 降低系统成本
02 产品主要参数
JPM120010B4AI主要参数
03 产品优势和特点
1、在晶圆设计上通过优化JFET宽度、源极接触区宽度等关键参数，采用更小的元胞尺寸，结合先进的SiC晶圆减薄技术，显著提高了芯片单位面积的通流能力。
2、工艺上持续优化CSL（电流扩展层）和外延层掺杂浓度、采用更薄的栅极氧化层结合栅氧氮化、沟道自对准等先进工艺，进一步降低导通电阻，在几乎不增加工艺制造成本的同时，带来极低的Ron,sp(比导通电阻率)。
3、SiC MOSFET的通态电阻随温度变化较小，在175℃结温时，导通阻抗仍可以保持在较低水平，该特性可以提升高温系统效率，降低器件选型余量，在较高应用环境温度下仍保持出色性能。
JPM120010B4AIRds温度特性曲线
04 产品主要应用
凭借可靠稳定的产品特性，此次推出的三款新品可广泛应用于：
• 太阳能逆变器
• DC / DC转换器
• 电机驱动
• 开关模式电源/UPS
• 储能系统
• 电动汽车电池充电站
05 拓展SiC功率模块
杰平方半导体
J Square Semiconductor
杰平方半导体（上海）有限公司是一家聚焦车载芯片研发和生产的芯片设计企业。杰平方致力于满足中国汽车产业对国产自主车载芯片的旺盛需求，打造世界领先的碳化硅垂直整合晶圆厂的标杆企业，并结合芯片代工厂的既有优势，创新IDM+（TM）的商务模式，打造芯片供应链的核心竞争力。凭借在半导体行业三十多年的丰富实践、成功经验、优质资源及出众业绩，在芯片设计、工艺研发、晶圆生产及成功量产等领域均具有国际性优势，杰平方积极响应市场和客户的强劲需求，致力于提供高性能碳化硅（SiC）芯片、车载信号链芯片及车载模拟芯片等前沿产品，并按照主机厂商需求定制开发高品质交付方案，通过独有芯片导入技术，以达到芯片国产化和车载芯片快速上车的效果。如欲进一步了解详情，请访问杰平方半导体官网：https://www.j2semi.com/。
