SiC(碳化硅)模组
击穿电压 | 产品型号 | 封装 | RDS(ON) (mΩ@25℃) | 额定电流(A) | 最高结温 | 世代 | 车规认证 | 规格书 |
(V) | (@25℃) | |||||||
1200 | JPP120200E20I | E2 | 4.55 | 200 | 175℃ | 第一代 | - | |
JPP120250H30I | H3 | 4.36 | 250 | 150℃ | 第一代 | - | ||
JPP120375H30I | H3 | 2.8 | 375 | 150℃ | 第一代 | - |
击穿电压 | 产品型号 | 封装 | RDS(ON) (mΩ@25℃) | 额定电流(A) | 最高结温 | 世代 | 车规认证 | 规格书 |
(V) | (@25℃) | |||||||
1200 | JPP120200E20I | E2 | 4.55 | 200 | 175℃ | 第一代 | - | |
JPP120250H30I | H3 | 4.36 | 250 | 150℃ | 第一代 | - | ||
JPP120375H30I | H3 | 2.8 | 375 | 150℃ | 第一代 | - |